PECVD
(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)

Beim PECVD-Verfahren wird analog dem klassischen CVD (Chemical Vapor Depositen)-Verfahren nur mit Gasen gearbeitet. Während jedoch beim CVD-Verfahren zumeist mit Temperaturen von oberhalb 1000 °C beschichtet wird, macht sich das plasma-unterstützte CVD-Verfahren die deutlich niedrigeren Temperaturen im Bereich von 100–600°C zu Nutze. Das Plasma dient dabei als Katalysator für die Reaktion bzw. der Aufspaltung der Reaktivgase, so. z.B. bei der Abscheidung von DLC (Diamond Like Carbon)-Schichten (diamantähnlicher Kohlenstoff) durch Aufspaltung von C₂H₂ oder CH₄.

Auch eine Kombination der Verfahren wie z.B.

• PECVD + Magnetronzerstäubung
• PECVD + Lichtbogenverdampfung

kann eingesetzt werden.

Für die haftfeste Abscheidung von DLC-Schichten wird jedoch häufig eine Anbindungsschicht benötigt, indem z.B. eine Cr (Chrom)-Schicht mittels Lichtbogenverdampfung zuvor abgeschieden wird.