PECVD（等离子体增强化学气相沉积）

当采用PECVD工艺时，正如CVD工艺（化学气相沉积），仅使用气体。与传统的CVD采用的1000℃或更高的沉积温度相比，PECVD工艺的沉积温度相当低（100-600℃）。在DLC（类金刚石）膜层沉积期间，等离子是用于增强反应以及加强反应气体（如C₂H₂ or CH₄）的离解。

也可以采用组合的工艺，如

• PECVD+测控溅射
• PECVD+电弧蒸发

为了沉积良好结合力的DLC膜层，结合力层必须在DLC构成前沉积。通过电弧蒸发沉积的Cr(铬)是提高DLC结合力的一个极好的选择。