xPro4R

PVD-Beschichtungsanlage mit HiPIMPS V+-Technologie und rotierenden Magnetrons

Die Beschichtungsanlage xPro4R ist mit rotierenden Magnetron-Sputterquellen versehen und wurde speziell für die Abscheidung von leistungsstarken extrem glatten, hochdichten Hartstoffschichten wie AlTi-, AlCr-basierten, Si-, B-dotierten Metallnitriden und Metallcarbonitriden entwickelt.

Durch den Einsatz von rotierenden Quellen, sogenannten Rotatables, erreicht man hohe Abscheideraten bei gleichzeitiger Reduktion einer möglichen Vergiftung des Targets. Die Lebensdauer der Targets wird verlängert, die Targetausnutzung erhöht und die Zeit zwischen zwei Targetswechseln maximiert. Dadurch wird insgesamt die Wirtschaftlichkeit des Beschichtungsprozesses deutlich erhöht.
Ein wichtiger Vorteil der Rotatables sind die im Vergleich zu planaren Targets über den die gesamte Lebensdauer konstanten Sputterbedingungen: Bei planaren Targets entsteht ein Sputtergraben, der eine kontinuierliche Anpassung der Sputterparameter erfordert – dies ist bei Rotatables nicht der Fall.

Zusätzlich können Rotatables bei signifikant höheren Energiedichten im Vergleich zu planaren Magnetrons eingesetzt werden und dies hat abermals einen positiven Einfluss auf die Wirtschaftlichkeit des Beschichtungsprozesses und die Eigenschaften der Schichten.  

pvt anlage xpro 4R


Die Rotatables-Anlage xPro4R wird charakterisiert durch:

  • Robuste Konstruktion für den industriellen Einsatz, verbunden mit hochentwickelter Vakuumtechnologie.
  • Wertbeständige Fertigungsausführung in Verbindung mit fortschrittlichstem Design.
  • Höchste Zuverlässigkeit aufgrund von durchdachter Konstruktion und Ausführung.
  • Das breiteste Spektrum an Hartstoffbeschichtungen und Beschichtungstechnologien zum günstigsten Preis.
  • Vollautomatisiertes, rechnergestütztes Beschichtungssystem mit der Garantie für beste Prozessreproduzierbarkeit, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit.
  • Das System mit breitester Anwendung auf kleinster Fläche.

Technische Highlights der xPro4R:

HiPIMS V+ ***-Technologie
  • HiPIMS V+ Technologie für beste Schichteigenschaften
  • Erhöhte Beschichtungrate im Vergleich zu normaler HiPIMS-Technologie
  • Optimierte Verteilung der Ionenenergie
  • „Strong-unbalanced“-Magnetron Konfiguration zur Aufweitung der Ionenwolke
  • Rotatables mit höchster Targetsauslastung und reduziertem Magnetron-Arcing
  • Kein Sputtergraben wie bei planaren Targets
  • Selbstgeregelter Reaktiv-Prozess
Kurze Prozeßzeiten
  • Hohe Heizleistung
  • Effiziente Reinigungs- und Ätzschritte
  • Kurze Zykluszeiten mit < 4,5 h
    Einfache Handling- und Aufnahmevorrichtungen
    • Einfache und sichere Kammerbeschickung
    • Hohe Tragfähigkeit der Drehwagen
    Software Design
    • Extrem intuitive, einfache Nutzung
    • Gewährleistung höchster Reproduzierbarkeit
    • Höchste Flexibilität für kundenspezifische Beschichtungslösungen
    • Fernbedienung und -diagnostik
    Intensives Thermomanagement
    • Intensive Wasserkühlung
    • Doppelwandige Kammerkonstruktion
    Erstklassige Bauteile
    • Verwendung von Bauteilen renommierter Hersteller
    • Durchdachte Integration

    System Daten

    Größe Vakuumkammer 1000 × 1000 × 1.150 mm (L × B × H)
    Beschichtbares Volumen 570 × 800 mm (Ø × H)
    Anzahl drehbarer Substratträger 1
    Pumpstand 2 zweistufige Drehschieberpumpen
    1 Rootspumpe
    2 Turbomolekularpumpen
    Verdampfer 4 rotierende Magnetron-Sputterquellen
    Stromversorgungen 2 DC-pulsed Stromversorgungen zu 20 kW
    2 HiPIMS Stromversorgungen zu 20 kW
    1 HiPIMS Biasstromversorgung zu 20 kW
    Heizung 2 Heizpanele zu je 12 kW
    Gesamtabmaße 4.850 × 1.855 × 2.435 mm (L × B × H)
    Stromanschluß 150 kW, 400 V, 3 ph + N, 50/60 Hz

    Systemkapazität

    Plasmavolumen 570 × 800 mm (Ø × H)
    Schaftfräser Ø 4 × 50 mm 2.520 St.
    Schaftfräser Ø 12 × 75 mm 860 St.
    WSP ½″ x ½″ x 4 mm 5.280 St.
    Wälzfräser Ø 80 × 80 mm 160 St.
    Wälzfräser Ø 100 × 100 mm 84 St.

    * PDA = Plasma-Diffused-Arc
    ** HiParc = High Power Pulsed Arc
    *** HiPIMS V+ = High Power Impulse Magnetron Sputtering with positive reverse pulsing